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    DRAM、SDRAM和SRAM的區別

    2017-02-07 13:43來源:中國存儲網
    導讀:DRAM、SDRAM和SRAM的區別,SRAM : 靜態RAM,不用刷新,速度可以非常快,像CPU內部的cache,都是靜態RAM,缺點是一個內存單元需要的晶體管數量多,因而價格昂貴,容量不大。

    DRAM、SDRAM和SRAM的區別

    特點簡介:

    SRAM :  靜態RAM,不用刷新,速度可以非常快,像CPU內部的cache,都是靜態RAM,缺點是一個內存單元需要的晶體管數量多,因而價格昂貴,容量不大。

    DRAM:  動態RAM,需要刷新,容量大。

    SDRAM :同步動態RAM,需要刷新,速度較快,容量大。

    DDR SDRAM:  雙通道同步動態RAM,需要刷新,速度快,容量大。

    具體解釋一:

    什么是DRAM

    DRAM 的英文全稱是'Dynamic RAM',翻譯成中文就是'動態隨機存儲器'。DRAM用于通常的數據存取。我們常說內存有多大,主要是指DRAM的容量。

    什么是SRAM

    SRAM 的英文全稱是'Static RAM',翻譯成中文就是'靜態隨機存儲器'。SRAM主要用于制造Cache。

    什么是SDRAM

    SDRAM 的英文全稱是'Synchronous DRAM',翻譯成中文就是'擴充數據輸出內存',它比一般DRAM和EDO RAM速度都快,它已經逐漸成為PC機的標準內存配置。

    什么是Cache

    Cache 的英文原意是'儲藏',它一般使用SRAM制造,它與CPU之間交換數據的速度高于DRAM,所以被稱作'高速緩沖存儲器',簡稱為'高速緩存'。由于CPU的信息處理速度常常超過其它部件的信息傳遞速度,所以使用一般的DRAM來作為信息存儲器常常使CPU處于等待狀態,造成資源的浪費。Cache就是為了解決這個問題而誕生的。在操作系統啟動以后,CPU就把DRAM中經常被調用的一些系統信息暫時儲存在Cache里面,以后當CPU需要調用這些信息時,首先到Cache里去找,如果找到了,就直接從Cache里讀取,這樣利用Cache的高速性能就可以節省很多時間。大多數CPU在自身中集成了一定量的Cache,一般被稱作'一級緩存'或'內置Cache'。這部分存儲器與CPU的信息交換速度是最快的,但容量較小。大多數主板上也集成了Cache,一般被稱作'二級緩存'或'外置Cache',比內置Cache容量大些,一般可達到256K,現在有的主板已經使用了512K~2M的高速緩存。在最新的Pentium二代CPU內部,已經集成了一級緩存和二級緩存,那時主板上的Cache就只能叫作'三級緩存'了。

    什么是閃存

    閃存 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是'閃動的存儲器',通常把它稱作'快閃存儲器',簡稱'閃存'。這種存儲器可以直接通過調節主板上的電壓來對BIOS進行升級操作。

    解釋為什么dram要刷新,sram不需要:

    這個是由于ram的設計類型決定的,dram用了一個t和一個rc電路,導致電容毀漏電和緩慢放電。所以需要經常的刷新來保持數據

    具體解釋二:

    DRAM,動態隨機存取存儲器,需要不斷的刷新,才能保存數據。 而且是行列地址復用的,許多都有頁模式。 

    SRAM,靜態的隨機存取存儲器,加電情況下,不需要刷新,數據不會丟失,而且,一般不是行列地址復用的。 

    SDRAM,同步的DRAM,即數據的讀寫需要時鐘來同步。 

    DRAM和SDRAM由于實現工藝問題,容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM,但是現在,SDRAM的速度也已經很快了,時鐘好像已經有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高,但是實際吞吐率要打折扣。以PC133為例,它的時鐘周期是7.5ns,當CAS latency=2 時,它需要12個周期完成8個突發讀操作,10個周期完成8個突發寫操作。不過,如果以交替方式訪問Bank,SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作(當然除去刷新操作)。其實現在的主流高速存儲器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片,最大工作速度是166MHz;可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片,最大工作速度是133MHz。

    SRAM是Static Random Access Memory的縮寫,中文含義為靜態隨機訪問存儲器,它是一種類型的半導體存儲器。“靜態”是指只要不掉電,存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM(DRAM)不同,DRAM需要進行周期性的刷新操作。 然后,我們不應將SRAM與只讀存儲器(ROM)和Flash Memory相混淆,因為SRAM是一種易失性存儲器,它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。“隨機訪問”是指存儲器的內容可以以任何順序訪問,而不管前一次訪問的是哪一個位置。 

    SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中,這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態,通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用于控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此,一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位,而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。 

    SRAM不應該與SDRAM相混淆,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆,PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。 

    從晶體管的類型分,SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分,SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。異步SRAM的訪問獨立于時鐘,數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關。

    DRAM:動態隨機存取存儲器,需要不斷的刷新,才能保存數據。而且是行列地址復用的,許多都有頁模式。

    SRAM:靜態的隨機存取存儲器,加電情況下,不需要刷新,數據不會丟失,而且,一般不是行列地址復用的。

    SDRAM:同步的DRAM,即數據的讀寫需要時鐘來同步。

    主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容(不包括行讀出放大器等),而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由于實現工藝問題,容量較SRAM大,但是讀寫速度不如SRAM。

    一個是靜態的,一個是動態的,靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息,而動態的是用電子,要不時的刷新來保持。

    內存(即隨機存貯器RAM)可分為靜態隨機存儲器SRAM,和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的“內存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。 

    SRAM其實是一種非常重要的存儲器,它的用途廣泛。SRAM的速度非常快,在快速讀取和刷新時能夠保

    持數據完整性。SRAM內部采用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此,才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網絡服務器以及路由器上能夠使用SRAM。

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    關鍵詞 :
    DRAM SDRAM 存儲技術
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