<wbr id="tp3ty"><input id="tp3ty"></input></wbr>
  • <acronym id="tp3ty"></acronym>
  • <ins id="tp3ty"></ins>
    <video id="tp3ty"><input id="tp3ty"></input></video>

  • 企業空間 采購商城 存儲論壇
    華為全閃存陣列 IBM云計算 Acronis 安克諾斯 安騰普 騰保數據
    首頁 > 存儲百科 > 存儲技術 > 正文

    各種存儲器比較(PCM,STT RAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)

    2017-02-07 14:00來源:中國存儲網
    導讀:各種存儲器比較(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD),看出憶阻器在集成密度,數據的讀寫時間有著比較明顯的優勢
    各種存儲器比較(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)各種存儲器比較(PCM,STT RAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)

    綜合起來可以看出憶阻器在集成密度,數據的讀寫時間有著比較明顯的優勢,

    Endurance:代表器件最大的擦寫次數;

    STTRAM:自旋扭矩轉換隨機存儲器,物理機制是磁致阻變效應;

    SRAM:靜態隨機存儲器,主要用來制造CPU與主板之間的緩存。

    • 優點是速度快(可以看到這種存儲器的讀寫速度是最快的);
    • 缺點是集成密度低,掉電不能保存數據。

    DRAM:動態隨機存儲器,用途主要在內存上。憶阻器的大部分參數可以和DRAM相比,也可以用來制造內存。

    Flash(NAND):閃存。用途:固態硬盤,便攜式存儲器。

    HDD:硬盤。

    • 優點是價格低廉(這種存儲器的單位容量所需要的價格是最低的,
    • 缺點也是顯而易見的,讀寫速度比其他存儲器低很多數量級。
    繼續閱讀
    關鍵詞 :
    存儲器 SRAM STT RAM
    相關閱讀
    • 數據存儲容量單位轉換 1ZB等于1024EB

      1ZB等于1024EB,1YB等于多少GB,是可以通過換算得到的,1YB等于1024ZB,1ZB等于1024EB,1EB等于1024PB,1PB等于1024TB,1TB等于1024GB,1GB等于1024MB,1MB等于1024KB,1KB

    • eMMC技術詳解

      eMMC 是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規格。現在主流旗艦手機都采用eMMC 5.0規格的閃存或者更新的UFS 2.0閃傳標準,有著比eMMC 5.0更快的讀取性能。

    • EEPROM和EPROM存儲器詳解

      EPROM和EEPROM是不同的,EPRO為“可擦除可編程只讀存儲器”,EEPROM即電可擦除可編程只讀存儲器,其內容在掉電的時候也不會丟失。

    • RAM,SRAM,SDRAM工作原理

      更好的了解RAM,SRAM,SDRAM工作原理。介紹一下SIMM以及與之相對應的DIMM。

    • 二進制原理及與十進制對照表

      既然可以用 0~9 共十個數字來表示數值,那么也可以用0、1兩個數字來表示數值,這就是二進制(Binary)。

    產品推薦

    頭條閱讀

    Copyright @ 2006-2019 ChinaStor.COM 版權所有 京ICP備14047533號

    中國存儲網

    存儲第一站,存儲門戶,存儲在線交流平臺

    俺去也导航