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    SRAM存儲器原理介紹

    2015-02-07 14:20來源:中國存儲網
    導讀:SRAM(Static Random Access Memory),即靜態隨機存取存儲器,SRAM主要應用于需要緩存比較小或對功耗有要求的系統。

    SRAM(Static Random Access Memory),即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。 

    SRAM主要應用于需要緩存比較小或對功耗有要求的系統。例如,很多8 BIT MCU,由于能支持的RAM比較小,內部緩存又不夠;或者16 BIT MCU,支持的RAM比較大,但對功耗有要求而無法用DRAM的系統。
    SRAM與DRAM的區別

     

    SRAM

    DRAM

    結構

         6個晶體管為1個存儲單元(GIGADEVICE2晶體管,但STANDBY電流大),

    1個晶體管為1個存儲單元,但需要刷新。

     

    工作狀態下

    10Ma-30mA

    100mA以上  

    Standby(待機)

    1uA-20uA  

    10mA以上

    存取速度  

    快的一般為101215nS左右,慢的一般為55nS70nS  

    快,一般小于10nS

    容量  

    目前最大到16M BIT  

    單片能到 512M BIT  

      SRAM的應用領域

    應用領域

    通信、儀器儀表等

    字典機、POS、打印機、游戲機、工控、儀器儀表等

    10mA以上

    容量(BIT)

    256K1M2M4M

    256K1M2M4M8M16M

    快,一般小于10nS

    容量  

    目前最大到16M BIT  

    單片能到 512M BIT  

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    SRAM 存儲器
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